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、VT5和R4、R5构成输出级:由VT3、VT4,达林顿机闭它采用了,低了输出高电闲居的输出电阻VT3和VT4构成复合管降,负载才气升高了带。 27所示如图2-,VTN1和VTN2为驱动管两个并联的巩固型NMOS管,VTP1和VTP2为负载管两个串联的巩固型PMOS管,OS或非门构成CM,达式为逻辑表: 大类:一类为双极型晶体管集成电途(TTL电途)数字集成电途按其内部有源器件的差别可能分为两;(MOS管构成的电途)另一类为单极型集成电途。 2-23(a)所示与或非门电途如图,-23(b)所示逻辑符号如图2,达式为逻辑表: 字集成电途比拟和 TTL 数,点是微功耗、高抗搅扰才气CMOS 电途的超越特。 VT1和电阻R1构成输入级:由多发射极管,发射结为3个PN结多发射极管的3个。A、B、C竣工逻辑与其感化是对输入变量,于一个与门以是它相当。 门也叫 OC 门集电极开途与非,高于电途的高电平电压值能使门电途输出的电压,并联以竣工逻辑与效用且门电途的输出端可能,L门电途不行线与)即线与(凡是的TT。 9所示电途对图2-1,平用1暗示假设高电,乐投亚洲在线服务,用0暗示低电平,19所示的线所示则可列出图2-。 和VT6、RB、RC构成中央级:由VT2、R2,输出两个逻辑电平相反的信号VT2集电极和发射极同时,T3和VT5用以驱动V。 的电途构成如图2-19(a)所示CT74S肖特基系列TTL与非门,、输出级3个个别构成它由输入级、中央级。 为低电平独揽的三态门输出图 2-29(a)所示,b)为逻辑符号图 2-29(。 和PMOS管VTP并联可组成CMOS传输门将两个参数对称同等的巩固型NMOS管VTN,如图2-28所示电途和逻辑符号。 出高电平、低电平两个形态三态输出门是指不但可输,阻形态的门电途况且还可输出高,24所示如图2-, 26所示如图2-,VTN1和VTN2为驱动管两个串联的巩固型NMOS管,VTP1和VTP2为负载管两个并联的巩固型PMOS管,OS与非门构成CM,达式为逻辑表: 2-20(a)所示OC门的电途如图,-20(b)所示逻辑符号如图2,达式为逻辑表:        
                               
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